admin PC-3000 Flash。如何检测和消除转储中的添加（插入、坏列）
所有现代存储芯片的质量都非常低。这意味着每一代新一代存储芯片的坏细胞都比上一代多得多。这是因为存储芯片生产过程中使用的工艺变得越来越小（首先是 65 纳米），然后是 45 纳米、32 纳米、25 纳米，现在是 20 纳米和 18 纳米、14 纳米），芯片内部的单元变得越来越小，单元之间的隔离层越来越薄。同时，开发人员可以使用最新的可用技术流程在同一区域更换更多数量的电池，这就是为什么存储芯片变得更便宜并且它们的容量每年都在增长（但它们的质量变得越来越差）。
现代存储芯片中的错误数量变得如此之大，以至于即使是绝对新的存储芯片也已经有很多坏单元（位错误）。这是一个真正的问题，因为刚刚生产的新芯片已经很糟糕了，如果制造商将其放入SSD或Flash设备中，则根本无法使用。这就是为什么制造商决定在所有存储芯片中添加新功能的原因，这被称为“坏列管理器”——它是某种表格，用于替换有关损坏单元的所有记录。当存储芯片下线时，该表已经显示在存储芯片中，并且该表已经包含有关所有坏单元的信息，这允许控制器在所有写入和读取操作期间不使用它们。
ACE Lab开发人员决定添加特殊工具，该工具允许在读取过程中使用此表中的信息剪切所有坏单元格。但是对于某些内存芯片和某些控制器来说，这个坏列是不够的，它们使用某种额外的列，这些列也位于转储中。不幸的是，我们的自动选项有时不能很好地工作，例如，基于控制器SM3257EN某些情况下，有时需要手动切割这些添加。
存在非常简单的检测方法 – 在芯片读取后，此添加是否在转储中呈现，或者不：
您可以尝试使用页面设计器 ->位图工具自行检查添加内容。它是分析转储结构的非常有用的工具。如果您将移动到页面末尾，并且会看到页面之间的偏移，这将是大小写包含添加的第二个迹象。
4.最后，您可以尝试通过以下方式启动特殊的加法切割方法：数据准备 ->TLC WL NAND芯片的加法。在自动模式下，它将尝试查找所有添加并在特殊窗口中显示它们。
此外，如果您决定手动消除所有插入物，您可以观看视频如何执行此操作：
更新：
请注意，有时，转储内的插入物并不像视频示例中那样明显。因此，如果您的控制器是 SM、PS、IS，但由于某种原因，在纠错码自动检测的第一步中未检测到 ECC，请准备好查找它们。
你找到了吗？如果没有 – 这是提示：
