在文章数据修正方法的最后部分，我们将讨论电压控制。 在哪种情况下，电压控制可以帮助我们修复错误？
如果用几句话说 – 它只能在最有问题的情况下帮助，即使在ECC校正和读出程序之后，位错误的数量仍然非常高。 基本上，电压控制 – 是一种ReadRetry操作，但是在手动模式下。 相反芯片本身，我们使用软件控制设置自己的电压来读取NAND芯片中的每个页面。
此电压控制选项仅适用于以下PC-3000 Flash设备：         

• PC-3000 Flash读卡器3.0 +电源适配器;
• PC-3000 Flash阅读器4.0（已集成电源适配器）;

如果您阅读我们之前关于ECC和读数的文章，您应该记住如何创建受损扇区的地图。 当什么时候使所有可能的错误修复准备，但错误的数量仍然是几百Mb，我们应该尝试使用电压控制。 通常，如果NAND存储器芯片支持读取，我们不应该使用不同的电压 – 理想结果将始终由READ RETRY证明！
但在我们的例子中，我们没有读取当前芯片的重试次数。 这就是为什么让我们尝试检测电压范围，并开始我们的校正程序。
我们修复ECC，读取并构建坏扇区的地图：

在这里我们可以看到，在读出期间，不可能使用读取重试命令（此芯片不可用）。 我们选择使用电压自动检测（对不起ReдRуссиanTraнcлaтиon）检测软件发现理想范围 – 从2.000V到3.600V：

最后 – 我们的结果！

不要忘记最重要的事情：

     我们建议仅在ECC和常见READOUT之后使用电压控制！
     如果NAND芯片不支持ReadRetry，电压控制将非常有用！
     如果芯片支持ReadRetry – 电压控制不会提高最终结果的质量。 （除了某些特殊情况，其中支持读重试但由于某种原因根本不起作用）;