从PC-3000 Flash SSD版本开始。 6.2.1增加了新的读数功能。 此功能允许应用自动验证+ ECC并重新读取内存芯片中的坏页面，从而获得更高质量的结果。 现代存储器芯片包含许多位错误，有时最终读取结果不足以进一步恢复，即使我们在芯片读取期间进行启动自动验证的ECC校正。 在这种情况下，我们建议每当ECC的功率不足以进行数据校正时，我们的用户就会启动此功能。 以下是如何启动它的指南。

1.首先，不要忘记应用背景分析。 如果你有多核CPU，后台分析将分析内存芯片并写一些有关使用的ECC结构的有用信息，以及日志中的一些其他准备工作。

2.芯片读取完成后，在芯片上启动ECC Correction，等待整个过程无法完成。

3.为了节省您的时间，我们应该构建具有坏扇区的映射，这些扇区在ECC校正的第一次通过期间或在芯片读取期间没有被修复。 按照MAP – > ECC – >使用ECC信息创建子图 – >无效扇区：

4.然后，您将看到仅显示包含ECC或读取错误的BAD扇区的地图。 按ECC – >重读扇区：

6.如果您的芯片支持读取重试，则读取操作的最终结果将高于普通芯片。 我们建议使用从1到3的尝试次数。

7.之后，软件将启动读数校正。 在日志中，您将看到更正页面的数量和页面状态 – 某些页面将被完全更正，其中一些页面将被部分更正，而某些页面可能因某些物理原因而无法更正。

附： 我们建议在内存芯片有太多ECC错误的情况下使用这种图像质量改进方案（通常是页面大小为8576字节或更高的现代芯片）。 在第一次芯片读取期间可用的自动过载功能不再有效，并且此读出功能对于类似情况下的所有现代闪存芯片将是最有效的选择。
警告 – 仅当您的TLC存储器芯片支持READ RETRY命令时，才能获得读数的理想结果。 否则，您将提高数据质量，但仍可能会出现许多不良范围。
如果使用READ RETRY，对于同一芯片，您将获得更好的结果：

在这里，您可以看到有关从内存芯片中读出的分步指南：